A semiconductor device and a process for production thereof, said
semiconductor device having a new electrode structure which has a low
resistivity and withstands heat treatment at 400.degree. C. and above.
Heat treatment at a high temperature (400-700.degree. C.) is possible
because the wiring is made of Ta film or Ta-based film having high heat
resistance. This heat treatment permits the gettering of metal element in
crystalline silicon film. Since this heat treatment is lower than the
temperature which the gate wiring (0.1-5 .mu.m wide) withstands and the
gate wiring is protected with a protective film, the gate wiring retains
its low resistance.
Un dispositivo a semiconduttore e un procedimento per produzione di ciò, dispositivo detto a semiconduttore che ha una nuova struttura dell'elettrodo che ha una resistività bassa e sostiene il trattamento termico a 400.degree. C. e sopra. Trattamento termico ad un a temperatura elevata (400-700.degree. C.) è possibile perché i collegamenti sono fatti della pellicola dell'AT o della pellicola AT-BASATA che ha alta resistenza termica. Questo trattamento termico consente gettering dell'elemento del metallo in pellicola cristallina del silicone. Poiché questo trattamento termico è più basso della temperatura che i withstands dei collegamenti del cancello (0.1-5 mu.m largamente) ed i collegamenti del cancello è protetto con una pellicola protettiva, i collegamenti del cancello mantengono la relativa resistenza bassa.
