A photo-EMF sensor and a method of making same has a substrate with a
semiconducting layer; a plurality of sensing regions in the layer, each
sensing region including (i) a pair of electrodes disposed in, on or above
the layer and (ii) an active region in the layer disposed adjacent said
pair of electrodes; and a plurality of inactive regions in said the
arranged between adjacent sensing regions. The inactive regions and the
sensing regions are dosed with a desensitizing agent, the inactive regions
receiving a relatively higher dose of the desensitizing agent and the
sensing regions receiving a relatively lower dose of the desensitizing
agent. The active layer is preferably placed in a monolithic Fabry-Perot
cavity to enhance the optical efficiency and performance of the sensor.
Ein Foto-EMF Sensor und eine Produktionsmethode selben hat ein Substrat mit einer Halbleiterschicht; eine Mehrzahl der Abfragung von von Regionen in der Schicht, jede abfragenregion einschließlich (i) ein Paar Elektroden schuf, auf oder über in der Schicht und (ii) eine aktive Region im Schicht abgeschaffenen angrenzenden besagten Paar der Elektroden ab; und eine Mehrzahl der unaktivierten Regionen in sagte geordnet zwischen angrenzenden abfragenregionen. Die unaktivierten Regionen und die abfragenregionen werden mit einem desensibilisierenden Vertreter, den unaktivierten Regionen, die eine verhältnismäßig höhere Dosis des desensibilisierenden Vertreters empfangen und den abfragenregionen, die eine verhältnismäßig unterere Dosis des desensibilisierenden Vertreters empfangen dosiert. Die aktive Schicht wird vorzugsweise in einen monolithischen Fabry-Perot Raum gelegt, um die optische Leistungsfähigkeit und die Leistung des Sensors zu erhöhen.
