A light-receiving device of a pin junction structure, constituted by a
quantum-wave interference layers Q.sub.1 to Q.sub.4 with plural periods of
a pair of a first layer W and a second layer B and carrier accumulation
layers C.sub.1 to C.sub.3. The second layer B has wider band gap than the
first layer W. Each thicknesses of the first layer W and the second layer
B is determined by multiplying by an even number one fourth of wavelength
of quantum-wave of carriers in each of the first layer W and the second
layer B existing at the level near the lowest energy level of the second
layer B. A .delta. layer, for sharply varying energy band, is formed at an
every interface between the first layer W and the second layer B and has a
thickness substantially thinner than the first layer W and the second
layer B. As a result, when electrons are excited in the carrier
accumulation layers C.sub.1 to C.sub.3, electrons are propagated through
the quantum-wave interference layer from the n-layer to the p-layer as a
wave, and electric current flows rapidly.
Un dispositif deréception d'une goupille structure de jonction, constitué par quantum-ondulent les couches Q.sub.1 d'interférence à Q.sub.4 avec des périodes plurielles d'une paire d'une première couche W et une deuxième couche B et les couches C.sub.1 d'accumulation de porteur à C.sub.3. La deuxième couche B a un espace plus large de bande que la première couche W. Chaque des épaisseurs de la première couche W et de la deuxième couche B est déterminées en se multipliant par un quatrième du chiffre pair un de la longueur d'onde de quantum-ondulent des porteurs dans chacune de la première couche W et de la deuxième couche B existant au proche de niveau la force la plus basse de la deuxième couche B. Une couche de delta., pour la bande brusquement variable d'énergie, est formée à une chaque interface entre la première couche W et la deuxième couche B et a une épaisseur sensiblement plus mince que la première couche W et la deuxième couche B. En conséquence, quand des électrons sont excités dans les couches C.sub.1 d'accumulation de porteur à C.sub.3, des électrons sont propagés par quantum-ondulent la couche d'interférence de la n-couche au joueur comme vague, et les écoulements courants électriques rapidement.
