An image sensor having micro-lenses is disclosed. The image sensor
comprises a plurality of pixels formed in a semiconductor substrate, each
pixel including a light sensitive element. A micro-lens is formed over
each of the light sensitive elements. Finally, a trench structure
surrounds each of the micro-lenses.
Ein Bild-Sensor, der Mikro-Objektive hat, wird freigegeben. Der Bild-Sensor enthält eine Mehrzahl von den Pixeln, die in einem Halbleitersubstrat, jedes Pixel einschließlich ein helles empfindliches Element gebildet werden. Ein Mikro-Objektiv ist gebildeter Überschuß jeder der hellen empfindlichen Elemente. Schließlich umgibt eine Grabenstruktur jedes der Mikro-Objektive.
