A semiconductor device, capable of precluding the deterioration of flatness
and electrical properties due to the non-planarized topology and enhancing
oxidative endurance and the process margins, which includes a conductive
layer, an insulated layer formed on the conductive layer, a glue layer
formed on the insulating layer, a connection unit, which is in contact
with the conductive layer through the glue layer and the insulating layer
and whose surface is planarized with that of the glue layer and a
capacitor including a first electrode formed on the connection unit and
the glue layer, a dielectric layer formed on the first electrode and a
second electrode formed on the dielectric layer.
Un dispositif de semi-conducteur, des capables d'exclure la détérioration de la planéité et des propriétés électriques dues au non-planarized la topologie et augmentant la résistance oxydante et les marges de processus, qui inclut une couche conductrice, une couche isolée a formé sur la couche conductrice, une couche de colle formée sur la couche de isolation, une unité de raccordement, qui est en contact avec la couche conductrice par la couche de colle et la couche de isolation et dont la surface est planarized avec celle de la couche de colle et un condensateur comprenant une première électrode formée sur l'unité de raccordement et la couche de colle, une couche diélectrique formée sur la première électrode et une deuxième électrode a formé sur la couche diélectrique.
