Method of manufacturing an external cavity semiconductor laser, external cavity semiconductor laser, and wavelength multiplex transmission system

   
   

An external cavity semiconductor laser comprises a grating fiber and a semiconductor optical amplification element. The grating fiber has a Bragg grating and an optical waveguide. The Bragg grating has a frequency f.sub.FG and exhibits a maximum reflectivity thereat. The Bragg grating is optically coupled to the optical waveguide. In the external cavity semiconductor laser. The grating fiber is determined such that an oscillation frequency f.sub.LD satisfies 0 Ένα εξωτερικό λέιζερ ημιαγωγών κοιλοτήτων περιλαμβάνει μια ίνα κιγκλιδωμάτων και ένα οπτικό στοιχείο ενίσχυσης ημιαγωγών. Η ίνα κιγκλιδωμάτων έχει ένα κιγκλίδωμα Bragg και έναν οπτικό κυματοδηγό. Το κιγκλίδωμα Bragg έχει μια συχνότητα f.sub.FG και εκθέτει μια μέγιστη ανακλαστικότητα thereat. Το κιγκλίδωμα Bragg συνδέεται οπτικά με τον οπτικό κυματοδηγό. Στο εξωτερικό λέιζερ ημιαγωγών κοιλοτήτων. Η ίνα κιγκλιδωμάτων καθορίζεται έτσι ώστε μια συχνότητα f.sub.LD ταλάντωσης ικανοποιεί 0

 
Web www.patentalert.com

< Arf excimer laser device, scanning type exposure device and ultraviolet laser device

< Nitride semiconductor laser device

> Light-emitting device, optical module, and fiber stub

> Pump laser diode with improved wavelength stability

~ 00144