Aspects for increasing yield in an embedded memory device are described.
With the aspects of the present invention, a cache is provided for a
memory unit of an embedded memory device. Attempts to access a failed bit
memory location in the memory unit are determined. When a failed memory
bit location is being accessed, substitution of a memory location in the
cache for the failed bit memory location occurs.
Los aspectos para la producción de aumento en un dispositivo de memoria encajado se describen. De los aspectos de la actual invención, un escondrijo se proporciona para una unidad de la memoria de un dispositivo de memoria encajado. Se determinan las tentativas de tener acceso a una posición de memoria fallada del pedacito en la unidad de la memoria. Cuando una localización de pedacito fallada de la memoria está siendo alcanzada, la substitución de una posición de memoria en el escondrijo para la posición de memoria fallada del pedacito ocurre.
