An interconnect of a semiconductor device having a multilayer interconnect
structure is designed by predicting the life of the interconnect governed
by an electromigration with different predicting models that are
classified according to a void incubation period and a void growth period
of a void that occurs in the vicinity of a junction between the
interconnect and a via which connects upper and lower interconnect, and
designing the interconnect based on the predicted life. The different
predicting models are classified according to whether the interconnect
with the void is positioned above or below the via.
Μια διασύνδεση μιας συσκευής ημιαγωγών που έχει μια πολυστρωματική δομή διασύνδεσης σχεδιάζεται με την πρόβλεψη της ζωής της διασύνδεσης που κυβερνάται από electromigration με τα διαφορετικά προβλέποντας πρότυπα που είναι ταξινομημένα σύμφωνα με μια κενή περίοδο επώασης και μια κενή περίοδο αύξησης κενού που εμφανίζεται κοντά σε μια σύνδεση μεταξύ της διασύνδεσης και του α μέσω των οποίων συνδέει ανώτερο και διασυνδέουν χαμηλότερα, και σχεδιάζοντας τη διασύνδεση βασισμένη στην προβλεφθείσα ζωή. Τα διαφορετικά προβλέποντας πρότυπα είναι ταξινομημένα σύμφωνα με το εάν η διασύνδεση με το κενό τοποθετείται επάνω από ή κάτω από μέσω.
