A low read current, low power consumption sense amplifier well suited for
low frequency RFID systems is disclosed. An MOS transistor receives the
read current from a memory cell, typically an EEPROM, and a current mirror
is formed by a parallel MOS transistor. The mirror current is integrated
on a capacitor after the charge on the capacitor is cleared via a reset
pulse. A time period is defined during which the voltage on the capacitor
is compared to a second voltage. The second voltage is formed from a
reference voltage or from dummy cells, in either case the reference
voltage is at about the logic boundary between a one and zero stored in a
memory cell. A comparator, with or without input hysteresis, receives the
voltage on the capacitor and a second voltage and within the time period,
the output state of the comparator indicates the binary contents of the
memory cell.
Un livello basso ha letto l'amplificatore corrente e basso di senso dell'assorbimento di corrente di energia adatto bene per i sistemi a bassa frequenza di RFID è rilevato. Un transistore del MOS riceve la corrente indicata da una cellula di memoria, tipicamente un EEPROM e uno specchio corrente è costituito da un transistore parallelo del MOS. La corrente dello specchio è integrata su un condensatore dopo che la carica sul condensatore sia abbia eliminato via un impulso di risistemazione. Un periodo di tempo è definito où la tensione sul condensatore è confrontata ad una seconda tensione. La seconda tensione è formata da una tensione di riferimento o dalle cellule fittizie, in il uno o il altro caso la tensione di riferimento è circa al contorno di logica fra quello e zero ha immagazzinato in una cellula di memoria. Un comparatore, con o senza isteresi dell'input, riceve la tensione sul condensatore e una seconda tensione e durante il periodo di tempo, l'uscita dichiara del comparatore indica il contenuto binario della cellula di memoria.
