Included in the invention are laminates having layers of group III-V
materials having low dislocation densities, semiconductor devices
fabricated using low dislocation density group III-V layers, and methods
for making these structures. Some of the inventions are concerned with GaN
layers, GaN semiconductor devices, and semiconductor lasers fabricated
from GaN materials. Detailed information on various example embodiments of
the inventions are provided in the Detailed Description below, and the
inventions are defined by the appended claims.
In de uitvinding worden de laminaten omvat die lagen van groep IIIV hebben materialen lage dislocatiedichtheid hebben, vervaardigde halfgeleiderapparaten gebruikend lage groep IIIV van de dislocatiedichtheid lagen, en methodes die om deze structuren te maken. Enkele uitvindingen zijn betrokken met lagen GaN, GaN halfgeleiderapparaten, en halfgeleiderlasers die van materialen GaN worden vervaardigd. De gedetailleerde informatie over diverse voorbeeldbelichamingen van wordt de uitvindingen hieronder verstrekt in de Uitvoerige Beschrijving, en de uitvindingen worden bepaald door de toegevoegde eisen.
