A method of forming and operating a memory storage and retrieval device
containing (a) an electrically conductive first electrode; (b) an
electrically conductive second electrode; (c) a layer stack intermediate
the first and second electrodes containing (d) at least one active layer
with variable electrical conductivity; and (e) at least one passive layer
containing a source material for varying the electrical conductivity of
the at least one active layer upon application of an electrical potential
difference between the first and second electrodes.
Eine Methode der Formung und des Laufen lassens einer Gedächtnisspeicher- und -wiederherstellungsvorrichtung, die (a) eine elektrisch leitende erste Elektrode enthält; (b) eine elektrisch leitende zweite Elektrode; (c) ein Schichtstapelvermittler die ersten und zweiten Elektroden, die (d) mindestens eine aktive Schicht mit variabler elektrischer Leitfähigkeit enthalten; und (e) mindestens eine passive Schicht, die einen Ausgangsstoff für das Verändern der elektrischen Leitfähigkeit der mindestens einer aktiven Schicht nach Anwendung eines elektrischen möglichen Unterschiedes zwischen die ersten und zweiten Elektroden enthält.
