A semiconductor optical device includes, on a semiconductor substrate, a
mesa-stripe-like multilayer structure constituted by at least an
n-cladding layer, an active region formed from an active layer or a
photoabsorption layer, and a p-cladding layer, and a buried layer in which
two sides of the multilayer structured are buried using a semi-insulating
semiconductor crystal. The buried layer includes a diffusion enhancement
layer which is adjacent to the mesa-stripe-like multilayer structure and
enhances diffusion of a p-impurity, and a diffusion suppression layer
which is adjacent to the diffusion enhancement layer and suppresses
diffusion of a p-impurity. A method of manufacturing a semiconductor
optical device is also disclosed.
Un circuit optique de semi-conducteur inclut, sur un substrat de semi-conducteur, a MESA-RAIE-COMME la structure multicouche constituée par au moins une couche de n-revêtement, une région active formée d'une couche active ou une couche de photoabsorption, et une couche de p-revêtement, et une couche enterrée dans laquelle deux côtés du multicouche structurés sont enterrés en utilisant un cristal de semi-conducteur de semi-finale-insulating. La couche enterrée inclut une couche de perfectionnement de diffusion qui est à côté de MESA-RAIE-COMME la structure multicouche et augmente la diffusion d'une p-impureté, et une couche de suppression de diffusion qui est à côté de la couche de perfectionnement de diffusion et supprime la diffusion d'une p-impureté. Une méthode de fabriquer un circuit optique de semi-conducteur est également révélée.
