A magnetic random access memory circuit comprises a plurality of magnetic
memory cells, each of the memory cells including a magnetic storage
element having an easy axis and a hard axis associated therewith, and a
plurality of column lines and row lines for selectively accessing one or
more of the memory cells, each of the memory cells being proximate to an
intersection of one of the column lines and one of the row lines. Each of
the magnetic memory cells is arranged such that the easy axis is
substantially parallel to a direction of flow of a sense current and the
hard axis is substantially parallel to a direction of flow of a write
current.
Een magnetische kring van het directe toeganggeheugen bestaat uit een meerderheid van magnetische geheugencellen, elk van de geheugencellen met inbegrip van een magnetisch opslagelement dat een gemakkelijke daarmee bijbehorende as en een harde as heeft, en een meerderheid van kolomlijnen en rijlijnen voor selectief de toegang tot van één of meer van de geheugencellen, elk van de geheugencellen die naburig aan een kruising van één van de kolomlijnen en één van de rijlijnen zijn. Elk van de magnetische geheugencellen wordt geschikt dusdanig dat de gemakkelijke as met een richting van stroom van een betekenisstroom wezenlijk parallel is en de harde as met een richting van stroom van schrijft stroom wezenlijk parallel is.
