The present invention provides an epitaxially grown compound semiconductor
film having a low density of crystal defects which are generated during
the course of crystal growth of a compound semiconductor. The present
invention also provides a compound semiconductor multi-layer structure
including an n-type InP substrate, an n-type InP buffer layer, an undoped
InGaAs light-absorbing layer, and an n-type InP cap layer, the layers
being successively grown on the substrate through MOCVD. In the InGaAs
layer, the compositional ratio of In/Ga is cyclically varied in a
thickness direction (cyclic intervals: 80 nm) so as to fall within a range
of .+-.2% with respect to a predetermined compositional ratio that
establishes lattice matching between InGaAs and InP; specifically, within
a range between 0.54/0.46 (i.e., In.sub.0.54 Ga.sub.0.46 As) and 0.52/0.48
(i.e., In.sub.0.52 Ga.sub.0.48 As)
A invenção atual fornece uma película epitaxially crescida do semicondutor composto que tem uma densidade baixa dos defeitos de cristal que são gerados durante o crescimento de cristal de um semicondutor composto. A invenção atual fornece também uma estrutura multi-layer do semicondutor composto including um n-tipo carcaça do InP, um n-tipo camada do amortecedor do InP, uma camada luz-absorvendo undoped de InGaAs, e um n-tipo camada do tampão do InP, as camadas que estão sendo crescidas sucessivamente na carcaça com o MOCVD. Na camada de InGaAs, a relação compositional de In/Ga é variada cìclica em um sentido da espessura (intervalos cíclicos: 80 nm) para cair dentro de uma escala do +-.2% com respeito a uma relação compositional predeterminada que estabeleça combinar de lattice entre InGaAs e InP; especificamente, dentro de uma escala entre 0.54/0.46 (isto é, In.sub.0.54 Ga.sub.0.46 como) e 0.52/0.48 (isto é, In.sub.0.52 Ga.sub.0.48 como)
