High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects

   
   

An electronic system is provided with a structure for improved transmission line operation on integrated circuits. The structure for transmission line operation includes a first layer of electrically conductive material on a substrate. A first layer of insulating material is formed on the first layer of the electrically conductive material. A number of high permeability metal lines are formed on the first layer of insulating material. The number of high permeability metal lines includes composite hexaferrite films. A number of transmission lines is formed on the first layer of insulating material and between and parallel with the number of high permeability metal lines. A second layer of insulating material is formed on the transmission lines and the high permeability metal lines. The structure for transmission line operation includes a second layer of electrically conductive material on the second layer of insulating material.

Ein elektronisches System wird mit einer Struktur für verbesserte Getriebelinie Betrieb auf integrierten Schaltungen versehen. Die Struktur für Getriebelinie Betrieb schließt eine erste Schicht elektrisch leitendes Material auf einem Substrat ein. Eine erste Schicht isolierendes Material wird auf der ersten Schicht des elektrisch leitenden Materials gebildet. Eine Anzahl von hohen Permeabilität Metalllinien werden auf der ersten Schicht des isolierenden Materials gebildet. Die Zahl hohen Permeabilität Metalllinien schließt zusammengesetzte hexaferrite Filme mit ein. Eine Anzahl von Getriebelinien wird auf der ersten Schicht des isolierenden Materials und zwischen und des parallel zur Zahl hohen Permeabilität Metalllinien gebildet. Eine zweite Schicht isolierendes Material wird auf den Getriebelinien und den hohen Permeabilität Metalllinien gebildet. Die Struktur für Getriebelinie Betrieb schließt eine zweite Schicht elektrisch leitendes Material auf der zweiten Schicht des isolierenden Materials ein.

 
Web www.patentalert.com

< Integrated capacitor for sensing the voltage applied to a terminal of an integrated or discrete power device on a semiconductor substrate

< Vertical bipolar transistor and a method of manufacture therefor including two epitaxial layers and a buried layer

> Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

> Method for forming a semiconductor interconnect with multiple thickness

~ 00142