Method for forming a semiconductor interconnect with multiple thickness

   
   

A conductive line varies in thickness to assist in overcoming RC delays and noise coupling. By varying line thickness, variation in conductor width is avoided if necessary to maintain a specified minimum pitch between conductors while maintaining predetermined desired RC parameters and noise characteristics of the conductive line. Conductor depth variation is achieved by etching a dielectric layer to different thicknesses. A subsequent conductive fill over the dielectric layer and in the differing thicknesses results in a conductive line that varies in thickness. Different conductive line thicknesses available at a particular metal level can additionally be used for semiconductor structures other than a signal or a power supply conductive line, such as a contact, a via or an electrode of a device. The thickness analysis required to determine how interconnect thickness is varied in order to meet a desired design criteria may be automated and provided as a CAD tool.

Een geleidende lijn variëert in dikte om in het overwinnen van vertragingen RC en lawaaikoppeling bij te wonen. Door lijndikte te variëren, wordt de variatie in leiderbreedte vermeden indien nodig om een gespecificeerde minimumhoogte tussen leiders te handhaven terwijl het handhaven van vooraf bepaalde gewenste parameters RC en lawaaikenmerken van de geleidende lijn. De de dieptevariatie wordt van de leider bereikt door een diëlektrische laag aan verschillende dikten te etsen. Verdere geleidend vult meer dan de diëlektrische laag en de verschillende diktenresultaten in in een geleidende lijn die in dikte variëert. De verschillende geleidende lijndikten beschikbaar op bepaald metaalniveau kunnen bovendien voor halfgeleiderstructuren buiten een signaal of een geleidende lijn van de machtslevering, zoals een contact, a via of een elektrode van een apparaat worden gebruikt. De dikteanalyse die wordt vereist om te bepalen hoe interconnect de dikte gevarieerd is om een aan gewenste ontwerpcriteria te voldoen kan als CAD hulpmiddel worden geautomatiseerd en worden verstrekt.

 
Web www.patentalert.com

< High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects

< Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

> Alignment for buried structures formed by surface transformation of empty spaces in solid state materials

> Electrical connection between two faces of a substrate and manufacturing process

~ 00142