Wire bonding for thin semiconductor package

   
   

An assembly of a semiconductor chip (301) having an integrated circuit (IC) including at least one contact pad (320) on its surface (301a), wherein the contact pad has a metallization suitable for wire bonding, and an interconnect bonded to said contact pad. This interconnect includes a wire (304) attached to the pad by ball bonding (305), a loop (306) in the wire closed by bonding the wire to itself (307) near the ball, and a portion (307) of the remainder of the wire extended approximately parallel to the surface. The interconnect can be confined to a space (308) equal to or less than three ball heights from the surface.

Un montaggio di un circuito integrato a semiconduttore (301) che ha un circuito integrato (IC) includere almeno un rilievo del contatto (320) sulla relativa superficie (301a), in cui il rilievo del contatto ha una metalizzazione adatta a bonding del legare e su un'interconnessione legata al rilievo detto del contatto. Questa interconnessione include un legare (304) fissato al rilievo da bonding di sfera (305), da un ciclo (306) nel legare chiuso legando il legare a se (307) vicino alla sfera e da una parte (307) del resto approssimativamente del parallelo esteso legare alla superficie. L'interconnessione può essere limitata ai 308) uguali dello spazio (a o a più meno di tre altezze della sfera dalla superficie.

 
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