A first metal film 14 made of a Cu plated film is formed on a radiation
substrate 13A made of Al, and an island 15 exposed from a back surface of
a semiconductor device 10 is adhered thereto. At that time, the back
surface of the semiconductor device 10 is brought into contact with
contact areas, and a first opening portion OP is opened larger than an
arranging area of the semiconductor device 10. Accordingly, the cleaning
can be executed via the first opening portion OP exposed from peripheries
of the semiconductor device 10. In addition, the heat generated from
semiconductor elements 16 can be radiated excellently from the island 15
via a second supporting member 13A.
Uma primeira película 14 do metal fêz de uma película chapeada cu é dada forma em uma carcaça 13A da radiação feita do al, e um console 15 exposto de uma superfície traseira de um dispositivo de semicondutor 10 é aderido a isso. Nesse tempo, a superfície traseira do dispositivo de semicondutor 10 é trazida no contato com áreas de contato, e uma primeira parcela da abertura OP é maior aberto do que uma área arranjando do dispositivo de semicondutor 10. Conformemente, a limpeza pode ser executada através do primeiro OP da parcela da abertura exposto das periferias do dispositivo de semicondutor 10. Além, o calor gerado dos elementos 16 do semicondutor pode radiated excelente do console 15 através de um segundo membro suportando 13A.
