A circuit configuration for a current switch of a bit line or a word line
of a magnetoresistive random access memory (MRAM) device, comprising a
directional switch and a voltage driver that, in operation, reduces the ON
resistance of the directional switch. In one embodiment, each terminal of
the line is provided with such a switch.
Une configuration de circuit pour un commutateur courant d'une ligne de peu ou d'une ligne de mot d'un dispositif magnétorésistant de la mémoire à accès sélective (MRAM), comportant un commutateur directionnel et un conducteur de tension qui, en fonction, réduit DESSUS la résistance du commutateur directionnel. Dans une incorporation, chaque borne de la ligne est équipée d'un tel commutateur.
