A method and structure for high capacitance memory cells is provided. The
method includes forming a trench capacitor in a semiconductor substrate. A
self-structured mask is formed on the interior surface of the trench. The
interior surface of the trench is etched to form an array of silicon
pillars. The self-structured mask is removed. Then an insulator layer is
formed on the array of silicon pillars. A polycrystalline semiconductor
plate extends outwardly from the insulator layer in the trench.
Um método e uma estrutura para pilhas de memória elevadas da capacidade são fornecidos. O método inclui dar forma a um capacitor da trincheira em uma carcaça do semicondutor. Uma máscara self-estruturada é dada forma na superfície interior da trincheira. A superfície interior da trincheira é gravada para dar forma a uma disposição de colunas do silicone. A máscara self-estruturada é removida. Uma camada do isolador é dada forma então na disposição de colunas do silicone. Uma placa polycrystalline do semicondutor estende externa da camada do isolador na trincheira.
