To provide an address programming device free from laser-blowing, a first,
thin gate oxide film is formed on a semiconductor substrate, a first gate
electrode is formed thereon, a second, thick gate oxide film is formed
thereon, and a second gate electrode is formed thereon. Such a device is
connected in series to a MOS transistor of the opposite polarity and such
arrangements are cross-connected together to form a latch circuit. Data to
be programmed and the inverted version thereof are written in the
programming device. Programmed information is read depending on the change
in weight of the latch when the power supply is turned on.
Pour fournir un dispositif de programmation d'adresse librement du laser-soufflement, un premier, film mince d'oxyde de porte est formé sur un substrat de semi-conducteur, une première électrode de porte est formée là-dessus, une deuxième, le film épais d'oxyde de porte est formé là-dessus, et une deuxième électrode de porte est formée là-dessus. Un tel dispositif est relié en série à un transistor de MOS de la polarité opposée et de tels arrangements croix-sont reliés ensemble pour former un circuit de verrou. Des données à programmer et la version inversée en sont écrites dans le dispositif de programmation. L'information programmée est lue selon le changement du poids du verrou quand l'alimentation d'énergie est allumée.
