GaSb-clad mid-infrared semiconductor laser

   
   

A semiconductor laser operating in the mid-infrared region is described. In one particular embodiment, the semiconductor laser is provided having first and second cladding layers consisting essentially of GaSb that surround an active core, wherein the index of refraction of the first and second cladding layers is less than but close to the index of refraction of active core. The semiconductor laser in accordance with this invention has a low divergence angle with a high power efficiency. In an alternate embodiment, the semiconductor laser is provided having first and second cladding layers consisting essentially of Al.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y Sb.sub.1-y that surround the active core with an aluminum mole fraction between 0 and 25 percent. The index of refraction of the first and second cladding layers consisting essentially of Al.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y Sb.sub.1-y can be adjusted to match a variety of types of active cores and to provide a pre-determined divergence.

Ein Halbleiterlaser, der in der Mittlerinfrarotregion funktioniert, wird beschrieben. In einer bestimmten Verkörperung ist der Halbleiterlaser zur Verfügung gestelltes haben zuerst und die zweiten Umhüllungschichten, die im Wesentlichen aus GaSb bestehen, die einen aktiven Kern umgeben, worin das Brechungsindex der ersten und zweiten Umhüllungschichten kleiner als aber nah an dem Brechungsindex des aktiven Kernes ist. Der Halbleiterlaser in Übereinstimmung mit dieser Erfindung hat einen niedrigen Abweichungwinkel mit einer hohe Energie Leistungsfähigkeit. In einer wechselnden Verkörperung ist der Halbleiterlaser zur Verfügung gestelltes haben zuerst und die zweiten Umhüllungschichten, die im Wesentlichen aus Al.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y Sb.sub.1-y bestehen, die den aktiven Kern mit einem Aluminiummolebruch zwischen 0 und 25 Prozent umgeben. Das Brechungsindex der ersten und zweiten Umhüllungschichten, die im Wesentlichen aus Al.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y Sb.sub.1-y bestehen, kann justiert werden, um eine Vielzahl der Arten der aktiven Kerne zusammenzubringen und eine vorbestimmte Abweichung zur Verfügung zu stellen.

 
Web www.patentalert.com

< Tunable fabry-perot filter and tunable vertical cavity surface emitting laser

< Long wavelength VCSEL with tunnel junction, and implant

> Material systems for long wavelength lasers grown on GaSb or InAs substrates

> Current blocking structure to improve semiconductor laser performance

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