A method and apparatus for forming interconnects embedding a metal such as
copper (Cu) into recesses for interconnects formed on the surface of a
substrate such as a semiconductor substrate. The method includes providing
a substrate having fine recesses formed in the surface, subjecting the
surface of the substrate to plating in a plating liquid, and subjecting
the plated film formed on the surface of the substrate to electrolytic
etching in an etching liquid.
Eine Methode und ein Apparat für die Formung schaltet das Einbetten eines Metalls wie Kupfer (Cu) in Aussparungen für zusammenschaltet gebildet auf der Oberfläche eines Substrates wie ein Halbleitersubstrat zusammen. Die Methode schließt das Zur Verfügung stellen eines Substrates ein, das feine Aussparungen sich bilden läßt in der Oberfläche und unterwirft die Oberfläche des Substrates dem Überziehen in einer Überzugflüssigkeit und dem Unterwerfen des überzogenen Filmes, der auf der Oberfläche des Substrates elektrolytischer Radierung in einer Radierung Flüssigkeit gebildet wird.
