A non-volatile memory (NVM) system includes a NVM cell having: a
semiconductor region having a first conductivity type; a gate dielectric
layer located over the semiconductor region; a gate electrode located over
the gate dielectric layer; a source region and a drain region of a second
conductivity type, opposite the first conductivity type, located in the
semiconductor region and aligned with the gate electrode; a crown
electrode having a base that contacts the gate electrode and walls that
extend vertically from the base region, away from the gate electrode; a
dielectric layer located over the crown electrode, wherein the dielectric
layer extends over at least interior surfaces of the walls; and a plate
electrode located over the dielectric layer, wherein the plate electrode
extends over at least interior surfaces of the walls.
Un sistema de la memoria permanente (MNV) incluye una célula de la MNV que tiene: una región de semiconductor que tiene un primer tipo de la conductividad; una capa dieléctrica de la puerta situada sobre la región de semiconductor; un electrodo de puerta situado sobre la capa del dieléctrico de la puerta; una región de la fuente y una región del dren de un segundo tipo de la conductividad, enfrente del primer tipo de la conductividad, situado en la región de semiconductor y alineado con el electrodo de puerta; un electrodo de la corona que tiene una base que entra en contacto con el electrodo y las paredes de puerta que extienden verticalmente de la región baja, lejos del electrodo de puerta; una capa dieléctrica situada sobre el electrodo de la corona, en donde la capa dieléctrica extiende las superficies interiores del excedente por lo menos de las paredes; y un electrodo de la placa situado sobre la capa dieléctrica, en donde el electrodo de la placa extiende las superficies interiores del excedente por lo menos de las paredes.
