A non-volatile memory cell includes a first insulating layer over a
substrate region, and a floating gate. The floating gate includes a first
polysilicon layer over the first insulating layer and a second polysilicon
layer over and in contact with the first polysilicon layer. The first
polysilicon layer has a predetermined doping concentration and the second
polysilicon layer has a doping concentration which decreases in a
direction away from an interface between the first and second polysilicon
layers. A second insulating layer overlies and is in contact with the
second polysilicon layer. A control gate includes a third polysilicon
layer over and in contact with the second insulating layer, and a fourth
polysilicon layer over and in contact with the third polysilicon layer.
The fourth polysilicon layer has a predetermined doping concentration, and
the third polysilicon layer has a doping concentration which decreases in
a direction away from an interface between the third and fourth
polysilicon layers.
Una célula de memoria permanente incluye una primera capa de aislamiento sobre una región del substrato, y una puerta flotante. La puerta flotante incluye un primer excedente de la capa del polysilicon la primera capa de aislamiento y una segunda capa del polysilicon encima y en contacto con la primera capa del polysilicon. La primera capa del polysilicon tiene una concentración de doping predeterminada y la segunda capa del polysilicon tiene una concentración de doping que disminuya en una dirección lejos de un interfaz entre las primeras y segundas capas del polysilicon. Una segunda capa de aislamiento cubre y está en contacto con la segunda capa del polysilicon. Una puerta del control incluye una tercera capa del polysilicon encima y en contacto con la segunda capa de aislamiento, y una cuarta capa del polysilicon encima y en contacto con la tercera capa del polysilicon. La cuarta capa del polysilicon tiene una concentración de doping predeterminada, y la tercera capa del polysilicon tiene una concentración de doping que disminuya en una dirección lejos de un interfaz entre las terceras y cuartas capas del polysilicon.
