Endpoint detection in substrate fabrication processes

   
   

In an endpoint detection method for a process performed in a substrate processing chamber with an energized gas, a process variable of the process is detected. The process variable comprising at least one of (i) a radiation emitted by the energized gas, (ii) a radiation reflected from a substrate in the chamber, (iii) a reflected power level of the energized gas, and (iv) a temperature in the chamber. An endpoint signal is issued when the process variable is indicative of an endpoint of the process. A process parameter of the process is also detected, the process parameter comprising at least one of (i) a source power, (ii) an RF forward power, reflected power, or match components, (iii) an RF peak-to-peak voltage, current or phase, (iv) a DC bias level, (v) a chamber pressure or throttle valve position, (vi) a gas composition or flow rate, (vii) a substrate temperature or composition, (viii) a temperature of a chamber component or wall, and (ix) a magnetic confinement level or magnet position. The endpoint signal is determined to be true or false by evaluating the process parameter.

En punto final un método de detección para un proceso se realizó en un substrato que procesaba el compartimiento con un gas energizado, una variable del proceso del proceso se detecta. La variable de proceso que abarcaba por lo menos uno (i) de una radiación emitió por el gas energizado, (ii) una radiación reflejó de un substrato en el compartimiento, (iii) un nivel reflejado de la energía del gas energizado, y (iv) una temperatura en el compartimiento. Se publica una señal de la punto final cuando la variable de proceso es indicativa de una punto final del proceso. Un parámetro de proceso del proceso también se detecta, el parámetro de proceso que abarca por lo menos uno (i) de una energía de la fuente, (ii) un RF adelante acciona, energía reflejada, o los componentes del fósforo, (iii) un voltaje de pico a pico del RF, corriente o fase, (iv) un nivel diagonal de la C.C., (v) una presión del compartimiento o una posición de la válvula de la válvula reguladora, (vi) una composición del gas o un caudal, (vii) una temperatura o una composición del substrato, (viii) una temperatura de un componente o de una pared del compartimiento, y (ix) una posición magnética del nivel o del imán del confinamiento. La señal de la punto final es determinada de ser verdad o falsa evaluando el parámetro de proceso.

 
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