Non-volatile semiconductor memory device conducting read operation using a reference cell

   
   

A spare reference cell is provided for a reference cell which is compared to a selected memory cell in read operation. A data read circuit reads storage data of a selected memory cell based on access to the selected memory cell and access to a selected one of the reference cell and the spare reference cell. Selection of the reference cell and the spare reference cell is not fixed according to the result of operation test conducted before a device is used, but can be switched according to various conditions.

Una cellula di ricambio di riferimento è fornita per una cellula di riferimento che è confrontata ad una cellula di memoria selezionata nell'operazione di lettura. Un circuito indicato dati indica i dati di immagazzinaggio di una cellula di memoria selezionata basata su accesso alla cellula di memoria selezionata e su accesso a selezionata della cellula di riferimento e della cellula di ricambio di riferimento. La selezione della cellula di riferimento e della cellula di ricambio di riferimento non è fissa secondo il risultato della prova di funzionamento condotto prima che un dispositivo sia utilizzato, ma può essere commutata secondo le varie circostanze.

 
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