Method of manufacturing semiconductor device having uniform crystal grains in a crystalline semiconductor film

   
   

A grain size of a crystal grain in a crystalline semiconductor film obtained by a thermal crystallization method using a metallic element is reduced. Thus, the number of crystal grains in active regions of a device is made uniform. The thermal crystallization method using a metallic element is performed for a semiconductor film formed on an insulating film formed at a lower temperature than that at formation of the semiconductor film and that at crystallization of the semiconductor film. By thermal treatment in a step of crystallizing the semiconductor film, stress of the insulating film is applied to the semiconductor film, thus causing distortion in the semiconductor film. When the distortion is caused, surface energy and a chemical potential of the semiconductor film are changed to promote the generation of a natural nucleus. Therefore, since a generation density of the crystal nucleus is increased, a grain size of a crystal grain can be reduced.

Een korrelgrootte van een kristalkorrel in wordt een kristallijne halfgeleiderfilm die door een thermische kristallisatiemethode wordt verkregen die een metaalelement gebruikt verminderd. Aldus, wordt het aantal kristalkorrels in actieve gebieden van een apparaat gemaakt eenvormig. De thermische kristallisatiemethode die een metaalelement gebruikt wordt uitgevoerd voor een halfgeleiderfilm die op een isolerende film wordt gevormd die bij een lagere temperatuur dan dat bij vorming van de halfgeleiderfilm en dat bij kristallisatie van de halfgeleiderfilm wordt gevormd. Door thermische behandeling in een stap van het kristalliseren van de halfgeleiderfilm, wordt de spanning van de isolerende film toegepast op de halfgeleiderfilm, waarbij vervorming in de halfgeleiderfilm wordt veroorzaakt. Wanneer de vervorming wordt veroorzaakt, worden de oppervlakte-energie en een chemisch potentieel van de halfgeleiderfilm veranderd om de generatie van een natuurlijke kern te bevorderen. Daarom aangezien een generatiedichtheid van de kristalkern wordt verhoogd, kan een korrelgrootte van een kristalkorrel worden verminderd.

 
Web www.patentalert.com

< Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device

< Wiring line and manufacture process thereof and semiconductor device and manufacturing process thereof

> Self-assembly of organic-inorganic nanocomposite thin films for use in hybrid organic light emitting devices (HLED)

> Light-emitting device and its use

~ 00141