A field emission device, which among other things may be used within an
ultra-high density storage system, is disclosed. The emitter device
includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state
field controlled emitter that utilizes a Schottky metal-semiconductor
junction or barrier. The Schottky metal-semiconductor barrier is formed on
the emitter electrode and electrically couples with the extractor
electrode such that when an electric potential is placed between the
emitter electrode and the extractor electrode, a field emission of
electrons is generated from an exposed surface of the semiconductor layer.
Further, the Schottky metal may be selected from typical conducting layers
such as platinum, gold, silver, or a conductive semiconductor layer that
is able to provide a high electron pool at the barrier. The semiconductor
layer placed on the Schottky metal is typically very weakly conductive of
n-type and has a wide band gap in order to create conditions conducive to
creating induced negative electron affinity at applied fields necessary to
provide electron emission. One type of wide band-gap material can be
selected from titanium dioxide or titanium nitride or other comparable
materials.
Un dispositivo dell'emissione del campo, che tra l'altro può essere utilizzato all'interno di un sistema di memorizzazione ultraelevato di densità, è rilevato. Il dispositivo dell'emettitore include un elettrodo dell'emettitore, un elettrodo dell'estrattore e un emettitore controllato campo di solid-dichiarare che utilizza una giunzione o una barriera del metallo-semiconduttore dello Schottky. La barriera del metallo-semiconduttore dello Schottky è formata sull'elettrodo dell'emettitore ed elettricamente accoppia con l'elettrodo dell'estrattore tali che quando un potenziale elettrico è disposto fra l'elettrodo dell'emettitore e l'elettrodo dell'estrattore, un'emissione del campo degli elettroni è generata da una superficie esposta dello strato a semiconduttore. Più ulteriormente, il metallo dello Schottky può essere scelto dagli strati di condotta tipici quali platino, oro, argento, o uno strato conduttivo a semiconduttore che può fornire un alto stagno dell'elettrone alla barriera. Lo strato a semiconduttore disposto sul metallo dello Schottky è in genere molto debolmente conduttivo di n-tipo ed ha uno spacco largo della fascia per generare le circostanze tendenti a generare l'affinità negativa indotta dell'elettrone ai campi applicati necessari per fornire l'emissione dell'elettrone. Un tipo di materiale largo di fascia-spacco può essere scelto dal nitruro di titanio del titanio o del diossido o da altri materiali paragonabili.
