A hybrid organic/inorganic organosilicon networked polymer material having
a compositional formula [Si(O)CH.sub.2 ].sub.n and a dielectric constant
of less than 2.4 is provided. The material may be used as an interlayer
dielectric film in a semiconductor device. The film is preferably
fabricated by a sol-gel process using an alkoxy substituted hyperbranched
polycarbosilane precursor material.
Материал полимера organosilicon гибрида organic/inorganic networked имея compositional формулу [ обеспечено Si(O)CH.sub.2 ].sub.n и диэлектрическую константу меньш чем 2.4. Материал может быть использован как пленка прослойка диэлектрическая в прибора на полупроводниках. Замененная пленка предпочтительн изготовлена процессом соленоид-gel4 используя алкоксидную hyperbranched материал прекурсора polycarbosilane.
