Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor with planarizing layer and related structure

   
   

According to one exemplary embodiment, a bipolar transistor comprises a base having a top surface. The bipolar transistor further comprises first and second link spacers situated on the top surface of the base. The bipolar transistor further comprises a sacrificial post situated on the top surface of the base between the first and second link spacers. The first and second link spacers may have a height, for example, approximately equal to or, in another embodiment, substantially less than a height of the sacrificial post. According to this exemplary embodiment, the bipolar transistor further comprises a non-sacrificial planarizing layer situated over the sacrificial post, first and second link spacers, and base. The non-sacrificial planarizing layer may comprise, for example, silicate glass. The sacrificial planarizing layer may have a height, for example, approximately equal to or, in another embodiment, greater than greater than a height of the first and second link spacers.

Volgens één voorbeeldige belichaming, bestaat een bipolaire transistor uit een basis die een hoogste oppervlakte heeft. De bipolaire transistor bestaat verder eerst uit en tweede verbindingsverbindingsstukken gelegen aan de hoogste oppervlakte van de basis. De bipolaire transistor bestaat verder uit een offerpost gelegen aan de hoogste oppervlakte van de basis tussen de eerste en tweede verbindingsverbindingsstukken. De eerste en tweede verbindingsverbindingsstukken kunnen een hoogte, bijvoorbeeld, ongeveer gelijk aan of, in een andere belichaming, wezenlijk minder hebben dan een hoogte van de offerpost. Volgens deze voorbeeldige belichaming, bestaat de bipolaire transistor verder uit een niet offer planarizing laag die over de offerpost, eerst en tweede verbindingsverbindingsstukken, en basis wordt gesitueerd. De niet offer planarizing laag kan, bijvoorbeeld, silicaat uit glas bestaan. De offer planarizing laag kan een hoogte, bijvoorbeeld, ongeveer gelijk aan of, in een andere belichaming hebben, groter dan groter dan een hoogte eerste en tweede verbindingsverbindingsstukken.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

< Semiconductor device comprising sense amplifier and manufacturing method thereof

> High-k gate dielectric with uniform nitrogen profile and methods for making the same

> Semiconductor integrated circuit device and manufacture method therefore

~ 00139