A semiconductor memory device disclosed herein comprises a memory cell
array in which memory cells are connected to word lines, a first voltage
generating circuit which generates a first voltage, a second voltage
generating circuit which generates a second voltage using the first
voltage, a word line selecting circuit which selects at least one of the
word lines, a word line voltage supplying circuit which supplies the
second voltage to the selected word line through the word line selecting
circuit, and a transfer voltage supplying circuit which supplies the first
voltage to the word line selecting circuit and stops supplying it to be in
a floating state before transferring the second voltage from the word line
voltage supplying circuit to the selected word line, in an operation in
which the second voltage is supplied to the selected word line after the
first voltage is supplied to the word line selecting circuit.
Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών αποκαλυπτόμενη εν τω παρόντι περιλαμβάνει μια σειρά κυττάρων μνήμης στην οποία τα κύτταρα μνήμης συνδέονται με τις γραμμές λέξης, μια πρώτη τάση που παράγει το κύκλωμα που παράγει μια πρώτη τάση, μια δεύτερη τάση που παράγει το κύκλωμα που παράγει μια δεύτερη τάση χρησιμοποιώντας την πρώτη τάση, μια γραμμή λέξης που επιλέγει το κύκλωμα που επιλέγει τουλάχιστον μια από τις γραμμές λέξης, μια τάση γραμμών λέξης που παρέχουν το κύκλωμα που παρέχει τη δεύτερη τάση στην επιλεγμένη γραμμή λέξης μέσω της γραμμής λέξης που επιλέγει το κύκλωμα, και μια τάση μεταφοράς που παρέχει το κύκλωμα που παρέχει την πρώτη τάση στη γραμμή λέξης που επιλέγει το κύκλωμα και σταματά το για να είναι σε ένα επιπλέον κράτος πρίν μεταφέρει τη δεύτερη τάση από τη γραμμή λέξης αρε θοννεθτεδ το ωορδ ληνες, α φηρστ βολταγε γενερατηνγ θηρθuητ ωχηθχ γενερατες α φηρστ βολταγε, α σεθονδ βολταγε γενερατηνγ θηρθuητ ωχηθχ γενερατες α σεθονδ βολταγε uσηνγ τχε φηρστ βολταγε, α ωορδ ληνε σελεθτηνγ θηρθuητ ωχηθχ σελεθτς ατ λεαστ ονε οφ τχε ωορδ ληνες, α ωορδ ληνε βολταγε σuππλυηνγ θηρθuητ ωχηθχ σuππληες τχε σεθονδ βολταγε το τχε σελεθτεδ ωορδ ληνε τχροuγχ τχε ωορδ ληνε σελεθτηνγ θηρθuητ, ανδ α τρανσφερ βολταγε σuππλυηνγ θηρθuητ ωχηθχ σuππληες τχε φηρστ βολταγε το τχε ωορδ ληνε σελεθτηνγ θηρθuητ ανδ στοπς σuππλυηνγ ητ το ψε ην α φλοατηνγ στατε ψεφορε τρανσφερρηνγ τχε σεθονδ βολταγε φρομ τχε ωορδ ληνε βολταγε σuππλυηνγ θηρθuητ το η επιλεγμένη γραμμή λέξης, σε μια λειτουργία στην οποία η δεύτερη τάση παρέχεται στην επιλεγμένη γραμμή λέξης μετά από την πρώτη τάση παρέχεται στη γραμμή λέξης που επιλέγει το κύκλωμα.
