The present invention relates to low dielectric materials essential for a
semiconductor having high density and high performance of the next
generation, particularly to a process for preparing a porous interlayer
insulating film having low dielectric constant containing pores with a
size of a few nanometers or less.
The present invention provides a process for preparing a porous wiring
interlayer insulating film having very low dielectric constant for a
semiconductor device comprising the steps of a) preparing a mixed complex
of pore-forming organic molecules and a matrix resin, b) coating the mixed
complex on a substrate, and c) heating the mixed complex to remove the
organic molecules therefrom, thereby forming pores inside the complex.
The porous wiring interlayer insulating film having very low dielectric
constant prepared according to the process of the present invention has
reduced phase-separation, excellent processibility, isotropic structure
and very small pores with a size of a few nanometers or less.
Присытствыющий вымысел относит к низким диэлектрическим материалам необходимым для полупроводника имея высокую плотность и высокий класс исполнения следующего поколения, определенно к процессу для подготовлять пленку пористого прослойка изолируя имея низкую диэлектрическую константу содержать поры с размером немного нанометров или. Присытствыющий вымысел обеспечивает процесс для подготовлять пленку пористого прослойка проводки изолируя имея очень низкую диэлектрическую константу для прибора на полупроводниках состоя из шагов a) подготовляя смешанного комплекса пор-formirovat6 органические молекулы и смолау матрицы, б) покрывая смешанный комплекс на субстрате, и ч) нагрюя смешанный комплекс для того чтобы извлечь органические молекулы therefrom, таким образом формирующ поры внутри комплекса. Пленка пористого прослойка проводки изолируя имея очень низкую диэлектрическую константу подготовленную согласно процессу присытствыющего вымысла уменьшала участк-raz7edinenie, превосходное processibility, равносвойственную структуру и очень малые поры с размером немного нанометров или.
