A composite bond pad that is resistant to external forces that may be
applied during probing or packaging operations is presented. The composite
bond pad includes a non-self-passivating conductive bond pad (134) that is
formed over a semiconductor substrate (100). A dielectric layer (136) is
then formed over the conductive bond pad (134). Portions of the dielectric
layer (136) are removed such that the dielectric layer (136) becomes
perforated and a portion of the conductive bond pad (134) is exposed.
Remaining portions of the dielectric layer (136) form support structures
(138) that overlie that bond pad. A self-passivating conductive capping
layer (204) is then formed overlying the bond pad structure, where the
perforations in the dielectric layer (136) allow for electrical contact
between the capping layer (204) and the exposed portions of the underlying
bond pad (134). The support structures (138) provide a mechanical barrier
that protects the interface between the capping layer (204) and the bond
pad (134). Additional mechanical robustness is achieved when the support
structures (138) remain coupled to the unremoved portion of the dielectric
layer (136), as forces buffered by the support structures (138) are
distributed across the dielectric layer (136) and not concentrated at the
bond pad location.
Eine zusammengesetzte Bondauflage, die gegen externe Kräfte beständig ist, die während der prüfenden oder verpackenbetriebe aufgewendet werden können, wird dargestellt. Die zusammengesetzte Bondauflage schließt eine nicht-Selbst-passivierende leitende Bondauflage mit ein (134) die über einem Halbleitersubstrat (100) gebildet wird. Eine dielektrische Schicht (136) wird dann über der leitenden Bondauflage (134) gebildet. Teilen der dielektrischen Schicht (136) werden so entfernt, daß die dielektrische Schicht (136) perforiert wird und ein Teil der leitenden Bondauflage (134) wird herausgestellt. Restliche Teile der dielektrischen (136) Form der Schicht stützen Strukturen (138) die diese Bondauflage überlagern. Eine Selbst-passivierende leitende mit einer Kappe bedeckende Schicht (204) wird dann die Bondauflagestruktur überlagernd gebildet, in der die Perforierungen in der dielektrischen Schicht (136) elektrischen Kontakt zwischen der mit einer Kappe bedeckenden Schicht (204) und den herausgestellten Teilen der bevorrechtigte Schuldverschreibung Auflage (134) zulassen. Die Unterstützungsstrukturen (138) liefern eine mechanische Sperre, die die Schnittstelle zwischen der mit einer Kappe bedeckenden Schicht (204) und der Bondauflage (134) schützt. Zusätzliche mechanische Robustheit wird erzielt, wenn die Unterstützungsstrukturen (138) zu unremoved Teil der dielektrischen Schicht (136) verbunden bleiben, da die Kräfte, die durch die Unterstützungsstrukturen (138) abgedämpft werden über die dielektrische Schicht (136) verteilt werden und nicht an der Bondauflageposition konzentriert.
