This invention aims to measure film thickness and film thickness
distribution to high precision in a wide range of transparent films. As
one example, in a CMP process, the film thickness of an outermost surface
layer formed on a step pattern of an actual product can be measured so
that high precision film thickness control can be performed. To achieve an
increase of processing throughput, the film thickness of an optically
transparent film formed on an actual device pattern is controlled to high
precision by incorporating a film thickness measuring unit, which performs
frequency analysis of a spectral distribution, in a polishing apparatus.
As a result, an increase of processing throughput is realized. To perform
the high precision measurement, the frequency analysis is performed on the
spectral distribution waveform of interference light from white light due
to the film, and an absolute value of film thickness is computed from the
relation of the phase of frequency components in the waveform and film
thickness.
Cette invention vise à mesurer l'épaisseur de film et la distribution d'épaisseur de film à la précision élevée dans un éventail de films transparents. Car un exemple, dans un processus de CMP, l'épaisseur de film d'une couche extérieure extérieure a formé sur un modèle d'étape d'un produit réel peut être mesuré de sorte que la commande d'épaisseur de film de précision élevée puisse être effectuée. Pour réaliser une augmentation de sortie de traitement, l'épaisseur de film d'un film optiquement transparent formé sur un modèle de dispositif réel est commandée à la précision élevée en incorporant une unité de mesure d'épaisseur de film, qui exécute l'analyse de fréquence d'une distribution spectrale, dans un appareil de polissage. En conséquence, une augmentation de sortie de traitement est réalisée. Pour effectuer la mesure de précision élevée, l'analyse de fréquence est exécutée sur la forme d'onde spectrale de distribution de la lumière d'interférence de la lumière blanche due au film, et une valeur absolue d'épaisseur de film est calculée de la relation de la phase des composants de fréquence dans l'épaisseur de forme d'onde et de film.
