To attain reduction in size of a semiconductor device having a power
transistor and an SBD, a semiconductor device according to the present
invention comprises a first region and a second region formed on a main
surface of a semiconductor substrate; plural first conductors and plural
second conductors formed in the first and second regions respectively; a
first semiconductor region and a second semiconductor region formed
between adjacent first conductors in the first region, the second
semiconductor region lying in the first semiconductor region and having a
conductivity type opposite to that of the first semiconductor region; a
third semiconductor region formed between adjacent second conductors in
the second region, the third semiconductor region having the same
conductivity type as that of the second semiconductor region and being
lower in density than the second semiconductor region; a metal formed on
the semiconductor substrate in the second region, the third semiconductor
region having a metal contact region for contact with the metal, the metal
being electrically connected to the second semiconductor region, and a
center-to-center distance between adjacent first conductors in the first
region being smaller than that between adjacent second conductors in the
second region.
Για να επιτύχει τη μείωση του μεγέθους μιας συσκευής ημιαγωγών που έχει μια κρυσταλλολυχνία δύναμης και ένα SBD, μια συσκευή ημιαγωγών σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση μια πρώτη περιοχή και μια δεύτερη περιοχή που διαμορφώνονται περιλαμβάνει σε μια κύρια επιφάνεια ενός υποστρώματος ημιαγωγών πρώτοι αγωγοί πληθυντικού και αγωγοί πληθυντικού δεύτερος που διαμορφώνονται στις πρώτες και δεύτερες περιοχές αντίστοιχα μια πρώτη περιοχή ημιαγωγών και μια δεύτερη περιοχή ημιαγωγών που διαμορφώνονται μεταξύ των παρακείμενων πρώτων αγωγών στην πρώτη περιοχή, της δεύτερης περιοχής ημιαγωγών που βρίσκεται στην πρώτη περιοχή ημιαγωγών και που έχει έναν τύπο αγωγιμότητας απέναντι από αυτήν της πρώτης περιοχής ημιαγωγών μια τρίτη περιοχή ημιαγωγών που διαμορφώνεται μεταξύ των παρακείμενων δεύτερων αγωγών στη δεύτερη περιοχή, της τρίτης περιοχής ημιαγωγών που έχει τον ίδιο τύπο αγωγιμότητας με αυτήν της δεύτερης περιοχής ημιαγωγών και που είναι χαμηλότερη στην πυκνότητα από τη δεύτερη περιοχή ημιαγωγών ένα μέταλλο που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα ημιαγωγών στη δεύτερη περιοχή, της τρίτης περιοχής ημιαγωγών που έχει μια περιοχή επαφών μετάλλων για την επαφή με το μέταλλο, το μέταλλο ηλεκτρικά που συνδέονται με τη δεύτερη περιοχή ημιαγωγών, και μια κέντρο-$$$-ΚΕΝΤΡΙΚΉ απόσταση μεταξύ των παρακείμενων πρώτων αγωγών στην πρώτη περιοχή που είναι μικρότερη από αυτή μεταξύ των παρακείμενων δεύτερων αγωγών στη δεύτερη περιοχή.
