A thin film magnetic memory device includes: TMR elements provided at a
predetermined distance away from each other on a main surface of a silicon
substrate so as to operate as memory elements; a first digit line for
applying a magnetic field to TMR element, extending in one direction so as
to intersect TMR element; a second digit line for applying a magnetic
field to TMR element, extending parallel to the first digit line so as to
intersect TMR element; and a magnetic film provided so as to fill in the
space between the first digit line and the second digit line and so as to
bring into contact with the first and second digit lines. The present
invention provides a thin film magnetic memory device wherein crosstalk
can be prevented from generating between adjacent memory cells and wherein
wire resistance does not increase.
Un dispositivo di memoria magnetico della pellicola sottile include: Gli elementi di TMR hanno fornito ad una distanza predeterminata via da a vicenda su una superficie principale di un substrato del silicone in modo da funzionare come elementi di memoria; una prima linea della cifra per l'applicazione del campo magnetico all'elemento di TMR, estendentesi in un senso in modo da intersecare l'elemento di TMR; una seconda linea della cifra per l'applicazione del campo magnetico all'elemento di TMR, estendersi parallela alla prima linea della cifra in modo da intersecare l'elemento di TMR; e una pellicola magnetica fornita in modo da riempire lo spazio fra la prima linea della cifra e la seconda linea della cifra ed in modo da mettere in contatto con le prime e seconde linee della cifra. La presente invenzione fornisce un dispositivo di memoria magnetico della pellicola sottile in cui la diafonia può essere evitata la generazione fra le cellule di memoria adiacenti ed in cui la resistenza del legare non aumenta.
