Pattern forming method and pattern forming apparatus

   
   

A method of forming a pattern for a semiconductor device comprises the steps of forming a photosensitive film on a substrate and radiating the photosensitive film on the substrate with a beam of a predetermined shape consisting of one of a charged particle beam and an electromagnetic beam, thereby forming an exposed region of a desired shape, the latter step including the step of exposing each of unit regions by a single shot of the beam of the predetermined shape for a predetermined period of time, repeating the exposure a plurality of times, and butt-joining the exposed unit regions to thereby form the exposed region of the desired shape, wherein, in the step of forming the exposed region of the desired shape, butting portions of the unit regions are situated in a first area of a layer to be formed other than a second area in the layer in which predetermined characteristics of a function of the semiconductor device are determined by a pattern width of the exposed region in association with another pattern formed in another layer.

Метод формировать картину для прибора на полупроводниках состоит из шагов формировать фоточувствительную пленку на субстрате и излучать фоточувствительную пленку на субстрате с лучем предопределенной формы consist of один из порученного луча частицы и электромагнитного луча, таким образом формирующ, котор подвергли действию зону заданной формы, последнего шага включая шаг подвергать действию каждая из зон блока одиночной съемкой луча предопределенной формы на предопределенное периодо времени, повторяя выдержку множественность времен, и бодать-soedin44, котор подвергли действию зоны блока таким образом для того чтобы сформировать, котор подвергли действию зону заданной формы, при котором, в шаге формирующ, котор подвергли действию зону заданной формы, бодая части зон блока расположены в первую зону слоя, котор нужно сформировать за исключением второй зоны в слое в котором предопределил характеристики функции прибора на полупроводниках обусловьте шириной картины, котор подвергли действию зоны in association with другая картина сформированная в другом слое.

 
Web www.patentalert.com

< Position detection device, apparatus using the same, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same

< Cathode current limiting circuit for projection television display systems

> Microarray detector and synthesizer

> Multisource type X-ray CT apparatus

~ 00139