A modulated light emitter having a laser and modulator constructed on a
common substrate. The light emitter includes an active layer having a
quantum well (QW) layer sandwiched between first and second barrier
layers. The active layer includes a laser region and a modulator region
connected by a waveguide. The laser region emits light when a potential is
applied across the active layer in the laser region. The modulator region
has a first state in which the modulator region absorbs the generated
light and a second state in which the modulator region transmits the
generated light. The modulator region assumes either the first or second
state depending on the potential across the modulator region. The QW layer
in the modulator region is under a tensile strain, which provides improved
light absorption in the first state.
Un emettitore chiaro modulato che ha un laser e un modulatore costruiti su un substrato comune. L'emettitore chiaro include uno strato attivo che ha uno strato del pozzo di quantum (QW) intramezzato in mezzo in primo luogo e secondi strati di sbarramento. Lo strato attivo include una regione del laser e una regione del modulatore collegate da una guida di onde. La regione del laser emette la luce quando un potenziale è applicato attraverso lo strato attivo nella regione del laser. La regione del modulatore fa dichiarare un primo in quale la regione del modulatore assorbe la luce generata e un secondo dichiara in quale la regione del modulatore trasmette la luce generata. La regione del modulatore presuppone il primo o in secondo luogo dichiara secondo il potenziale attraverso la regione del modulatore. Lo strato di QW nella regione del modulatore è sotto uno sforzo di tensione, che fornisce l'assorbimento della luce migliorato nel primo dichiara.
