III nitride compound semiconductor element an electrode forming method

   
   

An AlN buffer layer 2; a silicon (Si)-doped GaN high-carrier-concentration n.sup.+ layer 3; an Si-doped n-type Al.sub.0.07 Ga.sub.0.93 N n-cladding layer 4; an Si-doped n-type GaN n-guide layer 5; an active layer 6 having a multiple quantum well (MQW) structure, and including a Ga.sub.0.9 In.sub.0.1 N well layer 61 (thickness: about 2 nm) and a Ga.sub.0.97 In.sub.0.03 N barrier layer 62 (thickness: about 4 nm), the layers 61 and 62 being laminated alternately; an Mg-doped GaN p-guide layer 7; an Mg-doped Al.sub.0.07 Ga.sub.0.93 N p-cladding layer 8; and an Mg-doped GaN p-contact layer 9 are successively formed on a sapphire substrate. A p-electrode 10 is formed of a film of titanium nitride (TiN) or tantalum nitride (TaN) (thickness: 50 nm). The contact resistance of this electrode is reduced through heat treatment.

Une couche 2 d'amortisseur d'AlN ; un silicium (couche Si)-enduite 3 de haut-porteur-concentration n.sup.+ de GaN ; un n-type Silicium-enduit couche 4 de n-revêtement d'Al.sub.0.07 Ga.sub.0.93 N ; un n-type Silicium-enduit couche 5 de n-guide de GaN ; une couche active 6 ayant une structure multiple du puits de quantum (MQW), et incluant une couche bonne 61 (épaisseur de Ga.sub.0.9 In.sub.0.1 N : environ 2 nm) et une couche-barrière de Ga.sub.0.97 In.sub.0.03 N 62 (épaisseur : environ 4 nm), les couches 61 et 62 étant stratifiés alternativement ; une couche Magnésium-enduite 7 de p-guide de GaN ; une couche Magnésium-enduite 8 de p-revêtement d'Al.sub.0.07 Ga.sub.0.93 N ; et un GaN Magnésium-enduit p-mettent en contact la couche 9 sont successivement formés sur un substrat de saphir. Une p-électrode 10 est constituée d'un film de la nitrure titanique (étain) ou de la nitrure de tantale (Tan) (épaisseur : 50 nm). La résistance de contact de cette électrode est réduite par le traitement thermique.

 
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