The present invention is to provide a method of processing a semiconductor
wafer, comprising the steps of: sticking a support wafer onto a front
surface of a semiconductor wafer having a pattern formed thereon, with a
two-sided adhesive sheet; and performing a thinning process on a rear
surface of the semiconductor wafer. By sticking the support wafer onto the
semiconductor wafer with the two-sided adhesive sheet, sufficient strength
and rigidity can be obtained even after a thinning process is carried out.
A invenção atual deve fornecer um método de processar um wafer de semicondutor, compreendendo as etapas de: furando um wafer da sustentação em uma superfície dianteira de um wafer de semicondutor que tem um teste padrão dado forma thereon, com uma folha adesiva frente e verso; e executando um processo diluindo em uma superfície traseira do wafer de semicondutor. Furando o wafer da sustentação no wafer de semicondutor com a folha adesiva frente e verso, a força e a rigidez suficientes podem ser obtidas mesmo depois que um processo diluindo é realizado.
