A ZnO/sapphire substrate includes an R-plane sapphire substrate whose (0
1-1 2) planes are parallel to the surface thereof and a ZnO epitaxial film
formed on the R-plane sapphire substrate. The (1 1-2 0) planes of the ZnO
epitaxial film are disposed with an interplanar spacing in the range of
about 1.623 to 1.627 .ANG. parallel to the (0 1-1 2) planes of the R-plane
sapphire substrate.
Een substraat van ZnO/van de saffier omvat een r-Vlak saffiersubstraat waarvan (0 1-1 2) vliegtuigen zijn parallel daarvan met de oppervlakte en een epitaxial film ZnO die op het r-Vlakke saffiersubstraat wordt gevormd. (1 wordt 1-2 0) vliegtuigen van de epitaxial film ZnO geschikt met het interplanar uit elkaar plaatsen in het bereik van ongeveer 1.623 tot 1.627. ANG parallel met (0 1-1 2) vliegtuigen van het r-Vlakke saffiersubstraat.
