A method for forming an adhesion/barrier liner with reduced fluorine
contamination to improve adhesion and a specific contact resistance of
metal interconnects including
providing a semiconductor wafer having a process surface including an
etched opening extending through a dielectric insulating layer thickness
and in closed communication with a conductive underlayer surface;
pre-heating the semiconductor wafer in a plasma reactor to a pre-heating
temperature of at least about 400.degree. C.; cleaning the etched opening
according to a plasma assisted reactive pre-cleaning process (RPC)
comprising nitrogen trifluoride (NF.sub.3); and, blanket depositing at
least a first adhesion/barrier layer over the etched opening substantially
free of fluorine containing residue.
Un metodo per formare un rivestimento di adhesion/barrier con contaminazione ridotta del fluoro per migliorare l'adesione e una resistenza specifica del contatto di metallo collega compreso fornire una cialda a semiconduttore che ha una superficie trattata compreso un'apertura incisa passante attraverso uno spessore dielettrico di strato isolante e nella comunicazione chiusa con una superficie conduttiva del underlayer; preriscaldamento della cialda a semiconduttore in un reattore del plasma ad una temperatura di preriscaldamento almeno circa di 400.degree. C.; pulendo l'apertura incisa secondo un plasma ha aiutato il processo di prepulizia reattivo (RPC) che contiene il trifluoruro dell'azoto (NF.sub.3); e, coperta depositanti almeno una prima eccedenza di strato di adhesion/barrier l'apertura incisa sostanzialmente esente da fluoro che contiene residuo.
