A semiconductor self-pulsating laser diode (1) comprises a wave guiding
layer (2) sandwiched between lower and upper cladding layers (4, 5). A
current blocking layer (8) defining a slot (10) through which pumping
current is directed through the laser diode between upper and lower
contact plates (5, 6) defines an active wave guiding region (15). The
current blocking layer (8) is shaped by the formation of longitudinally
extending recesses (12) for defining the active wave guiding region (15)
such that a central pulse light generating region (17) is formed
surrounded by an outer light propagating region (18). As the laser diode
is continuously pumped, an effective step change in refractive index
between the wave guiding layer (2) and the outer light propagating region
(18) is formed, and the carrier density and refractive index profiles
across the active wave guiding region (15) vary as each light pulse cycle
progresses. Initially, the carrier density in the central pulse light
generating region 17 rises relative to the carrier density in the light
propagating region 18 until the difference between the refractive index of
the pulse light generating region 17 and the refractive index of the light
propagating region 18 is at its greatest, and the carrier density of the
pulse light generating region 17 reaches its lasing threshold value. At
this stage lasing commences in the active wave guiding region 15. Lasing
in the pulse light generating region 17 progressively reduces the carrier
density therein, which in turn progressively reduces the relative
difference between the refractive index of the pulse light generating
region 17 and the light propagating region 18 until the refractive index
of the pulse light generating region 17 approaches the refractive index of
the light propagating region 18, thereby increasing guiding of lasing
light into the pulse light generating region 17 for emission of the light
pulse therefrom. At that stage the carrier density of the active wave
guiding region 15 falls below its lasing threshold value, thus
extinguishing the lasing light, and the next light pulse cycle commences.
Een diode van de halfgeleider zelf-pulseert laser (1) bestaat uit een golf leidende laag (2) die tussen lagere en hogere bekledingslagen wordt geklemd (4, 5). Een huidige het blokkeren laag (8) die een groef (10) bepaalt waardoor de pompende stroom door de laserdiode tussen hogere en lagere contactplaten wordt geleid (5, 6) bepalen een actief golf leidend gebied (15). Huidige het blokkeren laag (8) wordt gestalte gegeven door de vorming van in de lengte het uitbreiden van recessen (12) voor het bepalen van actief golf leidend gebied (15) dusdanig dat een centraal impuls licht producerend gebied (17) omringd door een buiten licht verspreidend gebied (18) wordt gevormd. Aangezien de laserdiode onophoudelijk wordt gepompt, wordt een efficiënte stapverandering in r i tussen golf leidende laag (2) en buiten licht verspreidend gebied (18) gevormd, en de dragerdichtheid en r i profielen over actief golf leidend gebied (15) variëren aangezien elke lichte impulscyclus vordert. Aanvankelijk, is de dragerdichtheid in het centrale impuls lichte producerende gebied 17 stijgingen met betrekking tot de dragerdichtheid van licht verspreidend gebied 18 tot het verschil tussen r i van impuls licht producerend gebied 17 en r i van licht verspreidend gebied 18 bij zijn het grootst, en de dragerdichtheid van impuls licht producerend gebied 17 bereikt zijn lasing drempelwaarde. In dit stadium begint het lasing in actief golf leidend gebied 15, Lasing in de impuls licht producerend gebied 17 progressief de dragerdichtheid daarin vermindert, die beurtelings progressief het relatieve verschil tussen r i van impuls licht producerend gebied 17 en licht verspreidend gebied 18 vermindert tot r i van impuls licht producerend gebied 17 r i van licht verspreidend gebied 18 nadert, daardoor verhogend het leiden van daarvan het lasing van licht in impuls licht producerend gebied 17 voor emissie van de lichte impuls. In dat stadium begint de dragerdichtheid van actief golf leidend gebied 15 dalingen onder zijn lasing drempelwaarde, waarbij het lasing licht, en de volgende lichte impulscyclus worden gedoofd.
