A semiconductor laser chip has an emission facet for emitting a laser beam.
A sub-mount has a first surface and at least one second surface vertical
to the first surface. The semiconductor laser chip is provided on the
first surface of the sub-mount. The second surface arranged in line with
the emission facet of the semiconductor laser chip is inclined at an angle
of 3 to 30 degrees. The inclined second surface reflects reflection light
of a sub-beam diffracted from a main beam emitted by the semiconductor
laser chip.
Обломок лазера полупроводника имеет фасетку излучения для испускать лазерныйа луч. Суб-ustanovite имеет первую поверхность и по крайней мере одну вторую вертикаль поверхности к первой поверхности. Обломок лазера полупроводника обеспечен на первой поверхности суб-ustanavlivaet. Вторая поверхность аранжированная in line with фасетка излучения обломока лазера полупроводника inclined под углом от 3 до 30 градусов. Inclined вторая поверхность отражает свет отражения суб-luca продифрагированного от луча испущенного обломоком лазера полупроводника.
