A double layered low dielectric constant material dual damascene
metallization process is described. Metal lines are provided covered by an
insulating layer overlying a semiconductor substrate. A first organic
dielectric layer is deposited overlying the insulating layer. A second
inorganic dielectric layer is deposited overlying the first dielectric
layer. In a first method, a via pattern is etched into the second
dielectric layer. The via pattern is etched into the first dielectric
layer using the patterned second dielectric layer as a mask. Thereafter, a
trench pattern is etched into the second inorganic dielectric layer to
complete dual damascene openings. In a second method, a trench pattern is
etched into the second dielectric layer. Thereafter, a via pattern is
etched through the second inorganic dielectric layer and the first organic
dielectric layer to complete dual damascene openings. In a third method, a
via pattern is etched into the second dielectric layer. Then,
simultaneously, the via pattern is etched into the first dielectric layer
and a trench pattern is etched into the second inorganic dielectric layer
to complete dual damascene openings in the fabrication of an integrated
circuit device.
Описан двойной наслоенный низкий процесс металлизирования диэлектрической константы материальный двойной damascene. Обеспечены линии металла предусматривали изолируя слоем overlying субстрат полупроводника. Депозирован первый органический диэлектрический слой overlying изолируя слой. Депозирован второй неорганический диэлектрический слой overlying первый диэлектрический слой. В первом методе, а через картину вытравлен в второй диэлектрический слой. Через картину вытравляет в первый диэлектрический слой использующ сделанный по образцу второй диэлектрический слой как маска. В дальнейшем, картина шанца вытравлена в второй неорганический диэлектрический слой для того чтобы завершить двойные damascene отверстия. В втором методе, картина шанца вытравлена в второй диэлектрический слой. В дальнейшем, а через картину вытравлен через второй неорганический диэлектрический слой и первый органический диэлектрический слой для того чтобы завершить двойные damascene отверстия. В третьем методе, а через картину вытравлен в второй диэлектрический слой. После этого, одновременно, через картину вытравляет в первый диэлектрический слой и картина шанца вытравлена в второй неорганический диэлектрический слой для того чтобы завершить двойные damascene отверстия в изготовлении приспособления интегрированной цепи.
