A method for forming an ohmic contact to silicon carbide for a
semiconductor device comprises implanting impurity atoms into a surface of
a silicon carbide substrate thereby forming a layer on the silicon carbide
substrate having an increased concentration of impurity atoms, annealing
the implanted silicon carbide substrate, and depositing a layer of metal
on the implanted surface of the silicon carbide. The metal forms an ohmic
contact "as deposited" on the silicon carbide substrate without the need
for a post-deposition anneal step.
Μια μέθοδος για μια ωμική επαφή στο καρβίδιο του πυριτίου για μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει την εμφύτευση των ατόμων ακαθαρσιών σε μια επιφάνεια ενός υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου με αυτόν τον τρόπο που διαμορφώνει ένα στρώμα στο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου που έχει μια αυξανόμενη συγκέντρωση των ατόμων ακαθαρσιών, που ανοπτεί το εμφυτευμένο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, και που εναποθέτει ένα στρώμα του μετάλλου στην εμφυτευμένη επιφάνεια του καρβιδίου του πυριτίου. Το μέταλλο διαμορφώνει μια ωμική επαφή "δεδομένου ότι καταθεμένο" στο πυρίτιο το υπόστρωμα καρβιδίου χωρίς την ανάγκη για μια μετα-απόθεση ανοπτεί το βήμα.
