A method of fabricating a gallium nitride-based semiconductor structure on
a substrate includes the steps of forming a mask having at least one
opening therein directly on the substrate, growing a buffer layer through
the opening, and growing a layer of gallium nitride upwardly from the
buffer layer and laterally across the mask. During growth of the gallium
nitride from the mask, the vertical and horizontal growth rates of the
gallium nitride layer are maintained at rates sufficient to prevent
polycrystalline material nucleating on said mask from interrupting the
lateral growth of the gallium nitride layer. In an alternative embodiment,
the method includes forming at least one raised portion defining adjacent
trenches in the substrate and forming a mask on the substrate, the mask
having at least one opening over the upper surface of the raised portion.
A buffer layer may be grown from the upper surface of the raised portion.
The gallium nitride layer is then grown laterally by pendeoepitaxy over
the trenches.
Un método de fabricar una estructura nitruro-basada galio del semiconductor en un substrato incluye los pasos de formar una máscara que tiene por lo menos uno el abrirse en esto directamente en el substrato, el crecer de una capa del almacenador intermediario con la abertura, y el crecer de una capa del nitruro del galio ascendente de la capa del almacenador intermediario y lateralmente a través de la máscara. Durante el crecimiento del nitruro del galio de la máscara, los índices de crecimiento verticales y horizontales de la capa del nitruro del galio se mantienen en las tarifas suficientes evitar que el material polycrystalline nucleating en la máscara dicha interrumpa el crecimiento lateral de la capa del nitruro del galio. En una encarnación alternativa, el método incluye la formación por lo menos de fosos adyacentes que definen levantados de una porción en el substrato y la formación de una máscara en el substrato, la máscara que tiene por lo menos uno el abrirse sobre la superficie superior de la porción levantada. Una capa del almacenador intermediario se puede crecer de la superficie superior de la porción levantada. La capa del nitruro del galio entonces es crecida lateralmente por pendeoepitaxy sobre los fosos.
