The invention relates to a method using dry etching to obtain contamination
free surfaces on of a material chosen from the group comprising GaAs,
GaAlAs, InGaAsP, and InGaAs to obtain nitride layers on arbitrary
structures on GaAs based lasers, and a GaAs based laser manufactured in
accordance with the method. The laser surface is provided with a mask
masking away parts of its surface to be prevented from dry etching. The
laser is then placed in vacuum. Dry etching is then performed using a
substance chosen from the group containing: chemically reactive gases,
inert gases, a mixture between chemically reactive gases and inert gases.
A native nitride layer is created using plasma containing nitrogen. A
protective layer and/or a mirror coating is added.
Вымысел относит к методу использующ сухое вытравливание для того чтобы получить загрязнение свободно отделывает поверхность дальше материала выбранного от группы состоя из gaAs, GaAlAs, InGaAsP, и InGaAs для того чтобы получить слои нитрида на произвольных структурах на лазерах основанных gaAs, и основанном gaAs лазере изготовленном в соответствии с методом. Поверхность лазера обеспечена с частями маски маскируя отсутствующими своей поверхности, котор нужно предотвратить от сухого вытравливания. Лазер после этого помещен в вакууме. Сухое вытравливание после этого выполнено использующ вещество выбранное от содержать группы: химически реактивные газы, инертные газы, смесь между химически реактивными газами и инертными газами. Создан родной слой нитрида использующ плазму содержа азот. Защитный слой and/or покрытие зеркала добавлены.
