Stabilization in device characteristics of a bipolar transistor that is included in a semiconductor device with a CMOSFET

   
   

In the manufacturing process of a Bi-CMOS semiconductor device, which includes a CMOSFET and a bipolar transistor, the steps for forming a well region, source regions, and drain regions of the CMOSFET are also used for forming the bipolar transistor. One of the steps is used for introducing impurities of the same conductivity type in a surface of a base region of the bipolar transistor in order to form a high impurity concentration region in the surface. The high impurity concentration region is formed such that the distance between an emitter region of the bipolar transistor and the high impurity concentration region becomes 1 to 2 .mu.m. The shift in device characteristics of the bipolar transistor is improved by the high impurity concentration region even if the impurity concentration is relatively low at the surface of the base region of the bipolar transistor.

Nel processo di manufacturing di un dispositivo a semiconduttore di Bi-CMOS, che include un CMOSFET e un transistore bipolare, i punti per formare una regione buona, le regioni di fonte e le regioni dello scolo del CMOSFET inoltre sono usati per formare il transistore bipolare. Uno dei punti è usato per introdurre le impurità della stessa conducibilità scrive dentro una superficie a macchina di una regione bassa del transistore bipolare per formare un'alta regione di concentrazione di impurità nella superficie. L'alta regione di concentrazione di impurità è formata tali che la distanza fra una regione dell'emettitore del transistore bipolare e l'alta regione di concentrazione di impurità si transforma in mu.m in 1 - in 2. La variazione nelle caratteristiche del dispositivo del transistore bipolare è migliorata dall'alta regione di concentrazione di impurità anche se la concentrazione di impurità è relativamente bassa alla superficie della regione bassa del transistore bipolare.

 
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